成都母线槽升温的原因

成都母线槽升温的原因

1.铜排的含铜量低，电阻率大。
   人们常提到铜排的含铜量以及电阻率等，其实母线槽。高压柜。它们确实与母线槽的载流能力有关。含铜量达到99.95%或≥99.93%，电阻率ρ≤0.01777（欧姆?平方毫米/米）的铜排是母线铜排中比较优质的铜排。如果含铜量低，电阻率就大，只能加大导体规格，才能确保载流能力及温升值。否则，想知道太原。温升就会过高。
2.绝缘材料及外壳结构散热差。
   结构工艺处理较好，绝缘材料散热较好的母线槽其导体按设计手册或电工手册打折扣后能满足载流要求。但有些产品绝缘材料是树脂浇注，或采用其他散热较差的绝缘材料，及空气型母线结构，和散热较差的密集型母线结构要下降的折扣更多。有些产品结构及绝缘材料散热很差，导体按照电工手册上30℃环境温度选择，看着母线槽生产厂家。误导了用户，据明白该类产品有些只能达到60%~70%的截流能力，给我国电力供电造成了严重的安全隐患和巨大的电能损耗，值得人们重视。
3.超负荷运转。
   有些项目，随着设备的增加，负荷增大，或原设计的母线不能满足现场需要，有些项目施工订货时采用变容节变容，母线槽国家标准。也没有采取有效的保护措施，超负荷运转时温降低，而且变容后始端的开关无法确保变容后小电流的过载，因此存在安全隐患。
4.连接头连接不稳，接头电阻率加大。母线槽。
     连接头连接不稳定、接头接触不良、电阻率加大，都能造成母线槽的温升降低。
5.温升与集肤效应不无关系。
   在导体的内部，电阻产生的热量不易披发，你知道母线槽国家标准。温度较高，价和电子运转的速率高，线路不是很扁平，这样就导致了电子通路相对窄小，电阻就高。在导体的外貌，相比看插接。散热快、温度低，价和电子运转的速率低，线路扁平，这样就导致了电子通路相对宽大，而故导体外貌电阻小，电子运转较快，这也是电流集肤的原因之一。
例如：母线槽铜排导体6×100与10×60截面积异样是600mm2，但前者比后者大19%的载流能力，高压母线槽。这就是电流集肤效应造成的效果，通过异样的电流，前者比后者运转的温升低，电损也少，电压降异样比后者小，也就是说在相同的温升下，后者比前者小19%的载流能力。由此可见单方面以截面积来定论导体的载流能力及电能的损耗是完全错误的。
6.导体计算误导：
    有些技术人员不论是什么结构的母线槽，听说4442密集型插接式母线槽。其采用导体的规格均按照《电工手册》（或《电气设计手册》）列表去计算，并且按每mm2的载流能力去推断母线槽的使用年限，这样是错误的。导体是铜或铝，母线槽的使用寿命长短关键看它运转温度。运转温度越高它的老化速度也就越快（包括铜、铝排及绝缘材料。导体用的电工铜、电工铝，高压母线槽。其蠕变强度、抗拉强度和氧化速度均与温度有密切的关系）。因为母线的设计结构不同、散热不同，所以内部的温度也就不同。按设计手册的导体表格环境温度35℃选择，你看密集型母线槽。散热较好的密集型母线槽再下降5%~15%的载流能力，才能符合≤70K的温升值，散热不好的密集型母线要下降20%左右，空气型母线载流能力下降要更大些，按照以上几个方面总结：母线槽的导体载流能力不分产品结构、不计算集肤效应，按照导体截面积和每平方毫米载流能力来确定选择导体规格是错误的。